一、鉬鈮合金靶材的研究進展
在電子行業(yè)中，為了提高濺射效率和確保濺射薄膜的質量，要求 Mo-Nb濺射靶材有高純度、高致密度、晶粒細小及尺寸分布均勻、結晶取向一致等特性。劉等 [58-59] 報道，Mo-Nb 合金靶材的純度越高，濺射薄膜的性能越好。一般鉬濺射靶材的純度至少需要達到 99.95%（質量分數(shù)），而且隨著 LCD 行業(yè)玻璃基板尺寸的不斷提高，要求配線的長度延長、線寬變細，為了保證薄膜的均勻性以及薄膜的質量，要求的鉬濺射靶材的純度也相應提高。
肖等 [60] 研究表明濺射靶材作為濺射中的陰極源，固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。此外，在電子行業(yè)中，由于堿金屬離子（Na + ，K + ）易在絕緣層中成為可移動性離子，降低元器件性能；夏等 [61] 的研究表明在磁控濺射過程中鈾和鈦等元素會釋放α射線，
造成器件產(chǎn)生軟擊穿，鐵、鎳離子會產(chǎn)生界面漏電及氧元素增加等。因此，在 Mo-Nb 合金靶材的制備過程中，需要嚴格控制這些雜質元素，最大限度地降低其在靶材中的含量。
鐘等 [62] 研究表明在濺射鍍膜的過程中，致密度較小的濺射靶材受轟擊時，由于靶材內部存在孔隙，突然釋放的氣體會對沉積顆粒造成影響，或對沉積薄膜造成二次電子轟擊。這種情況大大影響了薄膜的品質。為了減少靶材固體中的孔隙以提高薄膜性能，所以要求提高濺射靶材的致密度。李等 [63-64] 報道，對 Mo-Nb 合金濺射靶材而言，其相對致密度應該在 98%以上。
王等 [65-66] 報道，通常 Mo-Nb 合金濺射靶材的晶粒大小一般為微米到毫米量級。劉等 [67] 試驗研究表明，靶材晶粒越細小其濺射的速率越大，這是由于晶界處的原子激活能低，受到轟擊時優(yōu)先濺射沉積，而且尺寸分布均一的濺射靶材，其濺射薄膜的厚度分布也比較均勻。
侯等 [68] 在研究中表明由于濺射時靶材原子容易從原子密排面濺射出來，因此為提高濺射速率，通常把靶材結構改變?yōu)檠孛芘啪鎿駜?yōu)取向。俞等 [69] 研究結果表明 Mo-Nb 合金靶材一般沿（110）晶面擇優(yōu)取向。此外，靶材的結晶方向對濺射膜層的厚度均勻性影響也較大，所以為了提高薄膜的濺射速率需要取得一定結晶取向的靶材結構。
二、鉬鈮的制備方法
關于Mo-Nb合金靶材的制備方法，目前主要是采用熔煉鑄造法、濕氫燒結法和熱等靜壓（HIP），在 Mo-Nb 合金靶材的制備過程中，不僅要嚴格控制 Mo-Nb 合金靶材的純度、致密度以及結晶取向，還需保證熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過程來控制靶材的質量。
（1）熔煉鑄造法
熔煉鑄造法是通過將一定比例的 Mo-Nb 合金熔融之后在模具中形成鑄錠，再將鑄錠機械加工和軋制處理，用來改善 Mo-Nb 合金靶材的致密度和晶粒尺寸。其在制備過程中，為了保證鑄錠中雜質元素含量低，需要整個過程在真空或保護性氣氛下進行。相比于粉末冶金法生產(chǎn)的Mo-Nb 合金靶材，其靶材雜質含量低、致密度高。但實際鑄造制備的 Mo-Nb 合金靶材中難以避免材料內部的孔隙，這些孔隙容易造成濺射中微粒的飛濺，其對濺射薄膜質量有一定的影響 [70] 。
（2）濕氫燒結法
濕氫燒結法是將一定比例的 Mo-Nb 混合粉末成型壓坯，再將壓坯放入燒結爐中燒結致密化的一種方法 [71] 。燒結過程中通入氫氣進行保護，其燒結溫度為 2000~2200℃，約為其熔點的 70%。
通過該方法制備的 Mo-Nb 合金靶材雜質含量低、晶粒分布均勻，但面臨致密度低的問題。
（3）熱等靜壓法
熱等靜壓法是把混合均勻的 Mo 粉和 Nb 粉裝入特制的鉬包套內置于熱等靜壓機的高壓容器中，在高溫和高壓環(huán)境下使得 Mo-Nb 合金燒結致密化的過程。該方法獲得的 Mo-Nb 合金靶材晶粒均勻細小，消除了靶材內部顆粒間的缺陷和孔隙，提高了其致密度，而且降低了燒結溫度 [72] 。
但是其對設備要求高，而且其生產(chǎn)成本也高。
三、鉬鈮合金靶材的應用
通過粉末冶金的方法制備的 Mo-Nb 合金靶材后期需要經(jīng)過不同的處理（鍛造、軋制和擠壓）來獲得不同性能的 Mo-Nb 合金靶材。
鍛造Mo-Nb合金靶材主要用于CT靶的制造。碟形Mo-Nb合金靶主要作為X射線管的旋轉陽極。
因為它的使用環(huán)境在是高真空、高速度旋轉和高溫的條件下，需要經(jīng)受高壓電子的轟擊，所以對靶面不僅要求有良好電特性，而且得具備良好的高溫強度、抗沖擊性能和耐熱性能[73]，并要求無氣孔存在，以免射線發(fā)生折射和散射，影響CT機成像的清晰度和準確度。為此，在制造Mo-Nb合金靶材時，對其致密度要求較高。
軋制Mo-Nb合金靶材材主要用于平面顯示器行業(yè)中的TFT-LCD（Thin film transistor- Liquidcrystal display）領域 [74] 。由于Mo具有優(yōu)良的電導性和熱穩(wěn)定性，使得其被用作TFT制造中的電極、布線材料和阻擋層材料。
與平面 Mo-Nb 合金靶材相比，旋轉 Mo-Nb 合金靶結構具有其實質性優(yōu)點，旋轉靶的利用率遠高于平面靶，旋轉靶如圖 1-4 所示 [75] 。 靶的壽命即為濺射功率乘以濺射時間。 從平面靶材到旋轉靶材幾何結構和設計的改變使得靶材的利用率從 20％到 30％增加到 80％。此外，旋轉靶材的壽命一般是平面靶材的 5 倍。 而且由于旋轉靶在濺射過程中會不停地旋轉，因此其表面不產(chǎn)生重沉積現(xiàn)象 [76] 。
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