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        國內外鉬鈮合金靶材的研究、制備方法、應用

        發布時間:2020-01-15 21:01:16 瀏覽次數 :

        一、鉬鈮合金靶材的研究進展

        在電子行業中,為了提高濺射效率和確保濺射薄膜的質量,要求 Mo-Nb濺射靶材有高純度、高致密度、晶粒細小及尺寸分布均勻、結晶取向一致等特性。劉等 [58-59] 報道,Mo-Nb 合金靶材的純度越高,濺射薄膜的性能越好。一般鉬濺射靶材的純度至少需要達到 99.95%(質量分數),而且隨著 LCD 行業玻璃基板尺寸的不斷提高,要求配線的長度延長、線寬變細,為了保證薄膜的均勻性以及薄膜的質量,要求的鉬濺射靶材的純度也相應提高。

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        肖等 [60] 研究表明濺射靶材作為濺射中的陰極源,固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。此外,在電子行業中,由于堿金屬離子(Na + ,K + )易在絕緣層中成為可移動性離子,降低元器件性能;夏等 [61] 的研究表明在磁控濺射過程中鈾和鈦等元素會釋放α射線,

        造成器件產生軟擊穿,鐵、鎳離子會產生界面漏電及氧元素增加等。因此,在 Mo-Nb 合金靶材的制備過程中,需要嚴格控制這些雜質元素,最大限度地降低其在靶材中的含量。

        鐘等 [62] 研究表明在濺射鍍膜的過程中,致密度較小的濺射靶材受轟擊時,由于靶材內部存在孔隙,突然釋放的氣體會對沉積顆粒造成影響,或對沉積薄膜造成二次電子轟擊。這種情況大大影響了薄膜的品質。為了減少靶材固體中的孔隙以提高薄膜性能,所以要求提高濺射靶材的致密度。李等 [63-64] 報道,對 Mo-Nb 合金濺射靶材而言,其相對致密度應該在 98%以上。

        王等 [65-66] 報道,通常 Mo-Nb 合金濺射靶材的晶粒大小一般為微米到毫米量級。劉等 [67] 試驗研究表明,靶材晶粒越細小其濺射的速率越大,這是由于晶界處的原子激活能低,受到轟擊時優先濺射沉積,而且尺寸分布均一的濺射靶材,其濺射薄膜的厚度分布也比較均勻。

        侯等 [68] 在研究中表明由于濺射時靶材原子容易從原子密排面濺射出來,因此為提高濺射速率,通常把靶材結構改變為沿密排晶面擇優取向。俞等 [69] 研究結果表明 Mo-Nb 合金靶材一般沿(110)晶面擇優取向。此外,靶材的結晶方向對濺射膜層的厚度均勻性影響也較大,所以為了提高薄膜的濺射速率需要取得一定結晶取向的靶材結構。

        二、鉬鈮的制備方法

        關于Mo-Nb合金靶材的制備方法,目前主要是采用熔煉鑄造法、濕氫燒結法和熱等靜壓(HIP),在 Mo-Nb 合金靶材的制備過程中,不僅要嚴格控制 Mo-Nb 合金靶材的純度、致密度以及結晶取向,還需保證熱處理工藝條件、后續成型加工過程來控制靶材的質量。

        (1)熔煉鑄造法

        熔煉鑄造法是通過將一定比例的 Mo-Nb 合金熔融之后在模具中形成鑄錠,再將鑄錠機械加工和軋制處理,用來改善 Mo-Nb 合金靶材的致密度和晶粒尺寸。其在制備過程中,為了保證鑄錠中雜質元素含量低,需要整個過程在真空或保護性氣氛下進行。相比于粉末冶金法生產的Mo-Nb 合金靶材,其靶材雜質含量低、致密度高。但實際鑄造制備的 Mo-Nb 合金靶材中難以避免材料內部的孔隙,這些孔隙容易造成濺射中微粒的飛濺,其對濺射薄膜質量有一定的影響 [70] 。

        (2)濕氫燒結法

        濕氫燒結法是將一定比例的 Mo-Nb 混合粉末成型壓坯,再將壓坯放入燒結爐中燒結致密化的一種方法 [71] 。燒結過程中通入氫氣進行保護,其燒結溫度為 2000~2200℃,約為其熔點的 70%。

        通過該方法制備的 Mo-Nb 合金靶材雜質含量低、晶粒分布均勻,但面臨致密度低的問題。

        (3)熱等靜壓法

        熱等靜壓法是把混合均勻的 Mo 粉和 Nb 粉裝入特制的鉬包套內置于熱等靜壓機的高壓容器中,在高溫和高壓環境下使得 Mo-Nb 合金燒結致密化的過程。該方法獲得的 Mo-Nb 合金靶材晶粒均勻細小,消除了靶材內部顆粒間的缺陷和孔隙,提高了其致密度,而且降低了燒結溫度 [72] 。

        但是其對設備要求高,而且其生產成本也高。

        三、鉬鈮合金靶材的應用

        通過粉末冶金的方法制備的 Mo-Nb 合金靶材后期需要經過不同的處理(鍛造、軋制和擠壓)來獲得不同性能的 Mo-Nb 合金靶材。

        鍛造Mo-Nb合金靶材主要用于CT靶的制造。碟形Mo-Nb合金靶主要作為X射線管的旋轉陽極。

        因為它的使用環境在是高真空、高速度旋轉和高溫的條件下,需要經受高壓電子的轟擊,所以對靶面不僅要求有良好電特性,而且得具備良好的高溫強度、抗沖擊性能和耐熱性能[73],并要求無氣孔存在,以免射線發生折射和散射,影響CT機成像的清晰度和準確度。為此,在制造Mo-Nb合金靶材時,對其致密度要求較高。

        軋制Mo-Nb合金靶材材主要用于平面顯示器行業中的TFT-LCD(Thin film transistor- Liquidcrystal display)領域 [74] 。由于Mo具有優良的電導性和熱穩定性,使得其被用作TFT制造中的電極、布線材料和阻擋層材料。

        與平面 Mo-Nb 合金靶材相比,旋轉 Mo-Nb 合金靶結構具有其實質性優點,旋轉靶的利用率遠高于平面靶,旋轉靶如圖 1-4 所示 [75] 。 靶的壽命即為濺射功率乘以濺射時間。 從平面靶材到旋轉靶材幾何結構和設計的改變使得靶材的利用率從 20%到 30%增加到 80%。此外,旋轉靶材的壽命一般是平面靶材的 5 倍。 而且由于旋轉靶在濺射過程中會不停地旋轉,因此其表面不產生重沉積現象 [76] 。

        參考文獻:

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