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        鈦管靶

        材質:Grade2、TA1、TP340、Ti-5N

        執行標準: ASTM、GB/T 3620.1、JIS H 4650

        瀏覽次數:

        發布日期: 2023-08-19 16:42:14

        全國熱線: 0917-3376170

        詳細描述 / Detailed description

        1、定義

        鈦管靶是一種中空圓柱形鈦金屬材料,專為旋轉陰極濺射鍍膜設計,通過高速旋轉(通常200-500 rpm)實現靶材表面均勻刻蝕,提升材料利用率(可達80%以上,而平面靶僅40-60%)。

        2、性能特點

        特性數值/描述優勢
        濺射均勻性膜厚偏差≤±3% (對比平面靶±8%)適合大面積連續鍍膜(如卷繞式鍍膜生產線)
        散熱效率水冷系統接觸面積增加50%支持高功率濺射(10-15 kW)
        材料利用率80-90% (平面靶40-60%)降低單次鍍膜成本
        機械強度壁厚≥5mm時抗彎強度≥300 MPa可承受高速旋轉離心力

        3、常用材質牌號

        標準體系牌號純度要求適用場景
        ASTMGrade 2≥99.7% Ti常規裝飾鍍膜、工具涂層
        GB/T 3620.1TA1≥99.9% Ti光學鍍膜、半導體封裝
        JIS H 4650TP340≥99.8% Ti顯示面板ITO導電層
        特殊高純Ti-5N99.999% TiEUV光刻機反射鏡鍍膜

        4、執行標準

        國際標準:

        ASTM B338: 鈦及鈦合金無縫管(規定尺寸公差±0.1mm)

        ISO 5832-2: 外科植入物用鈦材(適用于醫療鍍膜靶材)

        中國標準:

        GB/T 3624: 鈦及鈦合金管材(壁厚公差±10%)

        GB/T 5193: 濺射靶材晶粒度要求(晶粒尺寸≤50 μm)

        5、應用領域

        領域具體應用性能要求
        顯示面板OLED陽極層、TFT導電層純度≥99.95%,氧含量<500 ppm
        光伏產業薄膜太陽能電池背電極厚度均勻性CV≤2%
        醫療器械人工關節抗菌涂層符合ISO 10993生物相容性標準
        汽車玻璃隔熱Low-E膜耐高溫循環(-30~300℃)

        6、與其他鈦靶類型的區別

        參數鈦管靶鈦板靶鈦靶塊(柱狀靶)
        形狀空心圓柱(Φ50-500mm×L≤3m)平面矩形/圓形實心圓柱/立方體
        濺射方式旋轉陰極(動態鍍膜)固定陰極(靜態鍍膜)磁控掃描濺射
        材料利用率80-90%40-60%50-70%
        典型應用卷繞式連續鍍膜小面積精密鍍膜高功率脈沖濺射(HiPIMS)
        成本高(需精密離心鑄造)

        7、選購方法

        尺寸匹配:

        內徑需與旋轉陰極軸公差配合(推薦H7/g6間隙配合)

        長度根據鍍膜腔室尺寸選擇(常見1-2.5m)

        純度驗證:

        要求提供GDMS報告(重點關注Al≤50 ppm、Fe≤100 ppm)

        結構檢測:

        超聲波探傷(UT)檢測壁厚均勻性(偏差≤±0.2mm)

        EBSD分析晶粒取向(擇優取向(002)面占比≥60%)

        供應商資質:

        需具備真空自耗電弧爐(VAR)+冷軋(Pilger Mill)生產線

        8、注意事項

        安裝精度:

        同心度偏差≤0.05mm/m,防止旋轉振動導致膜層波紋

        冷卻系統:

        水溫需控制在15-25℃,流量≥20 L/min(避免靶材過熱變形)

        壽命管理:

        當壁厚磨損至原始值50%(如初始10mm剩5mm)時需更換

        安全規范:

        鈦粉塵爆炸濃度下限為45 g/m3,加工區需配備NFPA 68標準防爆系統

        鈦管靶憑借其高材料利用率和均勻鍍膜特性,在顯示面板(如G10.5代線需Φ450×2500mm靶管)和光伏領域占據主導地位。相比鈦板靶,其采購成本高約30%,但綜合鍍膜效率提升50%以上。特殊應用(如EUV鍍膜)需選擇單晶鈦管靶(晶向偏差<1°),并配合離子束輔助沉積(IBAD)工藝,實現膜層表面粗糙度<0.2 nm。

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